美拟禁止向中国出口D欧亿UV光刻机：禁止中芯国际、长江长鑫等使用

快科技4月7日消息，美拟美国国会两党参议员联合提出《MATCH法案》，禁止机禁际长江长拟对中国半导体产业升级出口管制。向中芯国鑫欧亿

对华为、国出光刻中芯国际（SMIC）、止中长江存储（YMTC）、使用长鑫存储（CXMT）、美拟华虹半导体（Hua Hong/HLMC）5家中国核心半导体企业，禁止机禁际长江长实施近乎全面的向中芯国鑫先进晶圆制造设备（WFE）出口禁令，覆盖DUV光刻机、国出光刻刻蚀机等关键设备。止中欧亿

法案若正式落地，使用中国芯片企业将失去为成熟制程产线采购相关先进设备，美拟并将其转用于先进制程研发量产的禁止机禁际长江长渠道。

美国自2021年底起已实施对华先进半导体设备管制，向中芯国鑫现行规则要求美、荷、日等国企业，向中国出口可用于14nm及以下逻辑芯片、18nm级DRAM 芯片、128层及以上 NAND 闪存制造的设备，必须取得美国出口许可。

此次新提案并未新增管制品类，核心是彻底改变了设备出口的许可审批逻辑。

现行管制仅针对美国黑名单内的具体晶圆厂，而非持有产线的企业主体，设备厂商可向中企成熟制程产线出口ASML Twinscan NXT:1950i/1980Di等DUV设备，仅需企业承诺不用于先进制程，美方却难以开展有效审计。

此外，法案封堵了中间商中转采购的漏洞，管制覆盖设备全生命周期的交易、使用、再出口与维护，涉事主体将失去设备采购与维护资格。

法案还设置75%阈值校准机制。若中国某类设备本土供给满足75%市场需求，美方将解除对应管制，仅在保有战略主动权的领域实施限制。

业内分析，法案核心目标是切断中企建设维护世界级晶圆厂的稳定供应链，其最终影响取决于国会立法进程。

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责任编辑：朝晖

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