美国调整对中国芯片设备法案：仍欧义限制ASML DUV光刻机 禁止中芯国际、长江长鑫等使用

快科技4月17日消息，美国最新报道显示，调整对中等使美国针对中国半导体产业的国芯V光国际欧义《MATCH法案》已完成修订。新版法案缩减了初版的片设激进限制条款，但核心管制内容并未松动。备法

这份法案全称为《硬件技术管制多边对齐法案》，案仍4月2日由美国共和党众议员Michael Baumgartner牵头在众议院提出，限制获得两党共同支持。刻机

法案核心目标，禁止是中芯填补现行对华芯片设备出口管制的漏洞，推动美国与荷兰、长江长鑫欧义日本等设备供应国的美国政策对齐，维持美国在人工智能领域的调整对中等使技术主导权。

4月初发布的国芯V光国际初版法案，曾引发全球半导体行业强烈反弹。片设业内人士将其形容为“失控列车”。它不仅要强制盟友全面配合美国对华管制规则，还推出了覆盖全中国的大范围设备禁令。设备厂商普遍担忧，严苛限制会直接冲击出口规模，损害企业营收。

最新修订版大幅收窄了限制范围，删除了多项争议性条款。其中就包括针对全中国市场的低温刻蚀机全国性禁令。这类设备的核心供应商，是美国泛林半导体与日本东京电子。原本设备维修许可申请“一律拒绝”的强硬政策也被取消，仅保留了相关受限设施的设备维修需提前申请许可的要求。

但法案的核心管制内容没有任何退让。修订版依然保留了针对ASMLDUV光刻机的全国性出口限制。同时明确规定，境外企业不得向被美方列入限制名单的中芯国际、长江存储、长鑫存储等中国芯片企业的受限产线供应设备。法案还为美国与盟友的政策对齐谈判设置了明确时限，到期未达成一致，美国将单方面加码管制。

现行美国对华半导体管制，原本只针对黑名单内的具体晶圆厂，而非持有产线的企业主体。设备厂商可向中企成熟制程产线出口DUV设备，仅需企业承诺不将设备用于先进制程，美方却难以开展有效审计。

这次修订后的法案，堵上了这个核心漏洞，管制覆盖设备全生命周期的交易、使用、转售与维护。

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责任编辑：朝晖

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